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TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO

LINEA DEL TIEMPO"HISTORIA DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA"

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE OAXACA

Carrera de ingeniería electrónica

NOMBRE DEL ALUMNO: Diana Laura García Lara GRUPO: E6UNOMBRE DEL DOCENTE: Ing. Miguel de Jesús Sánchez MaldonadoASIGNATURA: ELECTRÓNICA DE POTENCIACLAVE DE LA ASIGNATURA: ETF-1016

3

2

1

4

1948

PRIMERA REVOLUCION ELECTRONICA

1928

TIRATRÓN

1906

INVENCION DEL TRIODO

1904

diodo de vacio

1900

origenes

19001948

Historia de la Electrónica de Potencia”

Los orígenes de la electrónica de potencia se remontan al año 1900, cuando se introdujo el rectificador de arco de mercurio (ignitrón), se utilizaba cuando se necesitaba controlar la intensidad en instalaciones industriales y de servicios públicos.

John Ambrose Fleming inventó en 1904 el diodo de vacío, al que llamó válvula. Contenía dos electrodos: el cátodo, un filamento caliente que emitía electrones, y el ánodo, una placa que los recolectaba.

Lee DeForest perfecciona los trabajos de Fleming, añadiendo un tercer electrodo (rejilla) a la válvula original, creando así el tubo tríodo al que denominó audión.

Primer tiratrón comercial, un tipo de válvula termoiónica. A diferencia del triodo, la corriente de ánodo no es proporcional a la tensión de rejilla, sino que cuando se dispara, se produce la ionización del gas que lo lleva a su resistencia mínima.

Se inicia la primera revolución electrónica con la invención del transistor de silicio en los Bell Telephone Laboratories por los señores Bardeen, Brattain y Schockley.

1958

PRIMER TRANSISTOR DE POTENCIA

1962

SEGUNDA REVOLUCION ELECTRONICA

1958

PRIMER CIRCUITO INTEGRADO

1956

SCR

1951

TRANSISTOR DE UNION DE GERMANIO

19511962

Historia de la Electrónica de Potencia”

Shockley crea el transistor de unión de germanio. Éste transistor era mucho más sólido y pequeño que su antecesor, además no era sensible a movimientos, como lo era el de punto de contacto

Bell L. lanzó el transistor de disparo pnpn, que se definio como tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR). Este dispositivo está formado por elementos semiconductores, produce una conmutación a través del uso de realimentación interna.

La segunda revolución electrónica fue en 1958 con el desarrollo del tiristor comercial por General Electric Company. Ese fue el principio de la nueva era de la electrónica de potencia.

El circuito integrado fue introducido en este año, lo que permitió una mayor densidad de componentes en un solo chip. Esto llevó a una mayor miniaturización de los dispositivos electrónicos de potencia. (Jack Kilby)

En este año, la compañía RCA desarrolló el primer transistor de potencia. A diferencia de los transistores convencionales, estos podían manejar corrientes y voltajes más altos

1990

MOTOR VARIABLE

1982

TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA

1971

PRIMER MICROPROCESADOR

1971

DESARROLLO DEL PRIMER MOSFET

19712007

Historia de la Electrónica de Potencia”

2007

Desarrollo de la tecnología SiC

El transistor de óxido de metal-semiconductor fue desarrollado en este año por la compañía RCA. Este dispositivo permitió un mayor control de la corriente a través del canal, lo que llevó a una mayor eficiencia en diseños de circuitos de potencia.

El MICROPROCESADOR 4004 sentó las bases del camino de la computación moderna con microprocesadores, los “cerebros” que hacen posible casi toda la tecnología actual, desde la nube hasta el edge.

Se introdujo el transistor bipolar de puerta aislada. Este dispositivo generalmente es utilizado como interruptor.

Aparición del primer motor de velocidad variable de A.C.

La tecnología de carburo de silicio (SiC) fue desarrollada en este año, lo que permitió una mayor eficiencia y densidad de potencia en los dispositivos electrónicos de potencia.

2000

Tendencias en la electrónica de potencia

2021

Desarrollo de módulos de potencia SiC y GaN

2018

Invención de plantas solares y vehículos eléctricos

2012

Desarrollo de la tecnología GaN

20122021

Historia de la Electrónica de Potencia”

En este año, se desarrollaron los primeros módulos de potencia que utilizan tecnologías SiC y GaN. Estos módulos ofrecen una mayor eficiencia y densidad de potencia en comparación con los módulos de potencia convencionales.

La tecnología de nitruro de galio (GaN) fue desarrollada en este año, lo que permitió una mayor eficiencia y densidad de potencia en los dispositivos electrónicos de potencia.

Con los avances tecnológicos en el campo de la electrónica de potencia se logró aprovechar la energía solar al convertirla en energía eléctrica.

Algunas de las tendencias actuales incluyen el uso de dispositivos SiC y GaN, la integración de dispositivos de potencia en sistemas de inteligencia artificial, y el desarrollo de sistemas de potencia más eficientes para vehículos eléctricos.

FUENTES BIBLIOGRAFICAS

  • Admin. (2023, 20 febrero). Línea del tiempo de electrónica de potencia. Línea de Tiempo. https://lineadetiempo.net/linea-del-tiempo-de-electronica-de-potencia/
  • Admin_Commstribe. (2023, 13 julio). Electronica de potencia: tecnología que controla la energía. Zigor. https://zigor.com/innovacion/electronica-de-potencia-tecnologia-de-energia/
  • Braga, N. C. (s. f.). El diodo de selenio (ART864S). INCB. https://www.incb.com.mx/index.php/articulos/53-como-funcionan/9918-el-diodo-de-selenio-art864s
  • colaboradores de Wikipedia. (2022, 8 agosto). Tiratrón. Wikipedia, la Enciclopedia Libre. https://es.wikipedia.org/wiki/Tiratr%C3%B3n
  • EcuRed. (s. f.). Electrónica de potencia - EcuRed. https://www.ecured.cu/Electr%C3%B3nica_de_potencia
  • Exposición - EvoluciónTecnológica - Válvula o tubos de vacío -. (2023, 7 junio). https://mhi.ws.fi.upm.es/exposicion-evoluciontecnologica-transistores-bipolares-y-mos/
  • Invención del transistor - ECyT-ar. (s. f.). https://cyt-ar.com.ar/cyt-ar/index.php?title=Invenci%C3%B3n_del_transistor&mobileaction=toggle_view_desktop
  • Timetoast. (1900). Historia de la electrónica de potencia timeline. Timetoast Timelines. https://www.timetoast.com/timelines/historia-de-la-electronica-de-potencia-7b3ab0bb-97da-46cc-b614-3e2362fcac8c