Semiconductores

Voltaje par sobre pasar el potencial de barera es de 0.7 volts.

Un material tipo n tiene impurezas con electrones mayoritarios que al ejercer una corriente lectrica a traves de el tendra una resistencia muy grande

Los semiconductores son eleentos cuyas ultimas capas de valencia completan la ley del octeto,lo que los hacen muy estables y aislantes

Si

Voltaje par sobre pasar el potencial de barera es de 0.3 volts.

Ge

un material tipo p tiene impurezas con huecos mayoritarios es decir tiene impurezas aceptadoras que al ejecer una corriente electrica a traves de el cada hueco aceptara una corriente electron proveniente del exterior y el material tipo p se comporta como un conductor y por lo tanto tendra una resistencia muy pequeña

Al agregar alta temperatura da un hueco a un electron nuevo ,al darle corriente electrica se llenara otra vez ese espacio.

Intrinseco

Tipo N

Cuando un electrón se difunde a través de la unión crea un par de iones, en el lado n con carga positiva y en el p con carga negativa. Las parejas de iones positivo y negativo se llaman dipolos, al aumentar los dipolos la región cerca de la unión se vacía de portadores y se crea la llamada "Zona de deplexión".

Intrinseco/Extrinseco

Escunado el semiconductor esta dopado por alguen elemento penvalente ,que le da un electron y lo hace un tipo "n" o por un trivalente le dona un hueco y lo hace un tipo "p"

Extrinseco

Tipo P

Semiconductor PN

La barrera potencial en el diodo de unión PN es la barrera en la que la carga requiere fuerza adicional para cruzar la región.

Zona de deplexion

PN

Al juntar el tipo p con el tipo n se crea una linea de dominio ,por la cual los electrones sueltos del tipo n pueden llegar a cruzar y al hacerlo crean un potencial de barrera y zona de deplexion.

Semiconductores

Voltaje par sobre pasar el potencial de barera es de 0.7 volts.

Potencial de barrera

Figeroa Castro Derek Yolaos

Diodo polarizado en directa

Cada material tiene un voltaje minimo para sobre pasar el potencial de barrera ,en el si es de 0.7 volts y en el Ge es e 0.3 volts.

Voltaje par sobre pasar el potencial de barera es de 0.3 volts.

Si

Directa

Ge

Al agregarle la suficiente corriente los electrones libres de la zona n empiezan a pasar hacia la zona p viajando entre los huecos ocacionandos por los enlaces trivalentes.

Enlaces trivalentes

Diodo polarizado en iversa

Polarizado inversa

Un diodo polarizado en directa conduce una corriente electrica siempre y cuando el potencial de la fuente sea mayor a 0.7 volts para el Si y 0.3 volts para el Ge

Cuando el material tipo n y p se unen, los electrones y huecos cercanos a la unión se recombinan. Esto provoca que disminuya la cantidad de portadores libres cerca de la unión. Esta región con pocos portadores libres, se le conoce como región de agotamiento o empobrecimiento.

Consiste en invertir la polaridad de la fuente de tension aplicada al diodo ,creando una barreraentre las regiones n y p .

Zona de empobrecimiento

Bajo polarizacion inversa ,se observa una pequeña corriente de transicion debido al movimiento de electrones y huecos en el semiconductor ,causando un ensanchamientode la zona de empobrecimiento.

Corriente de transicion

Si se aplica una tension inversa lo suficiente mente alta ,puede ocurrir el efecto avalancha ,donde los electrones adquieren suficiente energia cinetica para romper enlaces covalentes generando una corriente inversa significativa.

El enlace covalente roto se mueve por el cristal de la misma forma que lo haría una carga positiva, que se denomina hueco: portador de corriente de carga +q.

Efecto avalancha y voltaje de ruptura