Mapa conceptual Semiconductores

sEMICONDUCTORES

Silicio: 0.7 V Germanio: 0.3 V

Estructura atómica

cantidad de voltaje que necesita un electrón para pasar de un material a otro

potencial de barrera

por ejemplo

silicio, germanio

sucede cuando

se unen y polarizan ambos tipos de semiconductores extrínsecos

la relación corriente-voltaje no es lineal

sucede cuando

dejan huecos en la estructura atómica

de elementos tetravalentes

electrones libres

Unión P-N Union N-P

electrones de valencia

material puro

se vuelven en cargas positivas

se coloca la placa positiva en el Lado P y la plpaca negativa en el Lado N

polarizado indirecto

polarizado directo

saturación de valencia

cristal de atómos puro

sino

suficiente voltaje

Semiconductor intrínseco

se coloca la placa positiva al lado N y la placa negativa al lado P.

aislante perfecto

no conduce

los electrones del lado N cruzan al lado P

Semiconductor extrínseco

se convierte en conductor bajo dos condicones

excitación térmica

Zona de unión entre lado p y n

Zona de deplexión más ancha

por la zona de deplexión

Semiconductor Tipo "P"

corriente de saturación inversa

impurezas

dopación con otros elementos

trivalentes

Semiconductor Tipo "N"

impureza aceptadora

conduce abruptamente, limitada solo por la resistencia exterior.

pentavalentes

si el voltaje aumenta lo suficiente, se produce una ruptura y fluye una gran corriente.

deja huecos en la estructura atómica del cristal

impureza donadora

La unión PN con polarización inversa es la base de muchos dispositivos semiconductores, incluidos diodos y transistores.

ocurre con el voltaje de ruptura de 30 a 40 V para los diodos rectificadores.

deja electrones libres que impiden el flujo de corriente electrica

permiten el flujo de corriente electrica