Historia de la Electrónica de Potencia
Juan Luis PáezIEC-183-00136
Desarrollo de módulos de potencia SiC y GaN
´Primer Transistor de Potencia:
Desarrollo del primer IGBT
1962
2018
1982
+En este año, la compañía RCA desarrolló el primer transistor de potencia. A diferencia de los transistores convencionales, estos podían manejar corrientes y voltajes más altos, lo que permitió una mayor eficiencia en el diseño de circuitos de potencia.
En este año, se desarrollaron los primeros módulos de potencia que utilizan tecnologías SiC y GaN. Estos módulos ofrecen una mayor eficiencia y densidad de potencia en comparación con los módulos de potencia convencionales.
El transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT) fue desarrollado en este año por la compañía General Electric. Este dispositivo combinó las características de los transistores bipolares y MOSFET, lo que permitió mayores niveles de voltaje y corriente en los circuitos de potencia
1973
1964
El primer módulo de potencia fue desarrollado en este año por la compañía Mitsubishi Electric. Este módulo incluyó múltiples dispositivos de potencia en un solo paquete, lo que permitió una mayor facilidad de uso y diseño en los sistemas de potencia.
El circuito integrado fue introducido en este año, lo que permitió una mayor densidad de componentes en un solo chip. Esto llevó a una mayor miniaturización de los dispositivos electrónicos de potencia.
Primer módulo de potencia
Primer Integrado
LINEA DE TIEMPO POTENCIA
juanluispaezlinares
Created on September 24, 2023
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Historia de la Electrónica de Potencia
Juan Luis PáezIEC-183-00136
Desarrollo de módulos de potencia SiC y GaN
´Primer Transistor de Potencia:
Desarrollo del primer IGBT
1962
2018
1982
+En este año, la compañía RCA desarrolló el primer transistor de potencia. A diferencia de los transistores convencionales, estos podían manejar corrientes y voltajes más altos, lo que permitió una mayor eficiencia en el diseño de circuitos de potencia.
En este año, se desarrollaron los primeros módulos de potencia que utilizan tecnologías SiC y GaN. Estos módulos ofrecen una mayor eficiencia y densidad de potencia en comparación con los módulos de potencia convencionales.
El transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT) fue desarrollado en este año por la compañía General Electric. Este dispositivo combinó las características de los transistores bipolares y MOSFET, lo que permitió mayores niveles de voltaje y corriente en los circuitos de potencia
1973
1964
El primer módulo de potencia fue desarrollado en este año por la compañía Mitsubishi Electric. Este módulo incluyó múltiples dispositivos de potencia en un solo paquete, lo que permitió una mayor facilidad de uso y diseño en los sistemas de potencia.
El circuito integrado fue introducido en este año, lo que permitió una mayor densidad de componentes en un solo chip. Esto llevó a una mayor miniaturización de los dispositivos electrónicos de potencia.
Primer módulo de potencia
Primer Integrado