К юбилею учёного. Н. Н. Беспалов

Научное наследие учёных МГУ им. Н. П. Огарёва

Национальный исследовательский Мордовский государственный университет имени Н. П.Огарёва

К юбилею учёного

Заведующий кафедройКандидат технических наук Доцент

Николай Николаевич Беспалов

Институт электроники и светотехники

Кафедра электроники и наноэлектроники

Николай Николаевич Беспалов - Заслуженный работник высшей школы РМ, кандидат технических наук, доцент, заведующий кафедры электроники и наноэлектроники Национального исследовательского Мордовского государственного университета имени Н. П. Огарёва.

Один из основных разработчиков аппаратно-программных комплексов АДИП, предназначенный для испытания силовых полупроводниковых приборов.За период с 1980 г. по 2018 г. выпущено и внедрено в промышленность, транспорт и энергетику России более 50 комплектов аппаратуры АДИП. Аппаратура АДИП используется на предприятиях Российской железной дороги, Московского, Санкт-Петербургского, Новосибирского и Самарского метрополитенов, на 5-ти атомных электрических станциях, на 1-ой гидростанции, на 4-х металлургических заводах, на предприятиях разработчиков и изготовителей полупроводниковых приборов в Саранске, Орле и Зеленограде. Автор и разработчик сертифицированных аэроионизаторов серии «ЭФФЛЮВИОН», выполняемых на основе электроэффлювиального метода ионизации воздуха профессора А. Л. Чижевского. Автор и разработчик сертифицированных бактерицидных ультрафиолетовых облучателей воздуха открытого и рециркуляторного типов серий, соответственно, «СОБРЭТ» и «ОБРИОН-РЭТ» «ЭФФЛЮВИОН». Награждён знаком «Изобретатель СССР (1980), Почётными грамотами Государственного собрания РМ (2006), Республики Мордовия (2008), дипломами II степени 1 конкурса «Инженер года Республики Мордовия», I степени Республиканского конкурса «Лучшее техническое решение, изобретение, полезная модель, рационализаторское предложение, направленные на решение актуальных проблем народного хозяйства» (2008), Министерства образования РФ (2009), Молодежного инновационного форума (г Ульяновск, 2015). Имеет благодарность Главы РМ (2018).

Карьера: В 1975 г. окончил обучение на радиотехническом факультете Новосибирского электротехнического института по специальности — «Радиотехника». Одновременно работал сначала на Новосибирском заводе им. Коминтерна, выпускавшего специальное радиотехническое оборудование, а затем в Сибирском научно-исследовательском институте геологии, геофизики и минерального сырья (Новосибирск). В 1975 г. поступил на работу в Мордовский государственный университет на кафедру автоматики., на которой работал старшим научным сотрудником. преподавателем, старшим преподавателем, доцентом и заведующим кафедры до 2013 г. С 1978 по 1982 учился в заочной аспирантуре Всесоюзного электротехнического института им. В. И. Ленина. аспирантуру окончил по специальности «Твердотельная электроника и микроэлектроника». В 2000 г. в Петербургском государственном университете путей сообщения Императора Александра I защитил кандидатскую диссертацию по специальности «Электротехнические комплексы и системы». В 2013 г. был избран заведующим кафедрой электроники и наноэлектроники. В 2018 г. присвоено звание доцента.

Научные интересы: 1. Исследование режимов работы силовых полупроводниковых приборов на токи до 5 кА и напряжение до 6 кВ и устройств силовой электроники на их базе и разработка аппаратно-программных комплексов для их диагностики. 2. Исследование режимов аэроионизации и озонирования воздуха и воды и разработка аппаратных средств для аэроионизации и озонации. 3. Разработка технологий и приборов для бактерицидного ультрафиолетового облучения открытого и рециркуляторного типов. 4. Разработка технологий и приборов для очистки воздуха помещений. 5. Разработка источников питания и управляемых источников тока до 10 кА. 5. Публикации: автор более 380 научных и учебно-методических работ. В их числе 5 монографий; 2 учебных пособия; 34 авторских свидетельств и патентов на изобретения; 7 свидетельств регистрации программ ЭВМ; 44 научные статьи в журналах из перечня ВАК (индекс Хирша 13); 22 публикации научных статей в Scopus (индекс Хирша 8); 15 публикаций научных статей в Web of Science Core Collection (индекс Хирша 3).

Избранные научные публикации

Николая Николаевича Беспалова

Моделирование и исследование параметров прямых вольт-амперных характеристик и температурного коэффициента напряжения диода Д242 / Беспалов Н.Н., Горячкин Ю.В., Панькин К.Ю., Бектяшкин И.О. / Научно-технический вестник Поволжья. 2021. № 5. С. 60-63.

Исследование температурного коэффициента напряжения силового диода штыревой конструкции при малых токах / Беспалов Н.Н., Горячкин Ю.В., Панькин К.Ю., Бектяшкин И.О., Безбородов Е.С. / В сборнике: XLVIII Огарёвские чтения. Материалы научной конференции. В 3-х частях. Составитель А.В. Столяров. Отв. за выпуск П.В. Сенин. 2020. С. 32-36.

Моделирование процессов в силовых диодах при групповом параллельном соединении / Беспалов Н.Н., Горячкин Ю.В., Дёмкин П.М. / Радиоэлектронная техника. 2020. № 1 (13). С. 71-77.

Исследование стартовых тепловых режимов работы силовых полупроводниковых приборов при различных начальных значениях температуры / Беспалов Н.Н., Горячкин Ю.В., Панькин К.Ю., Дёмкин П.М. // В сборнике: Динамика нелинейных дискретных электротехнических и электронных систем. Материалы XIII всероссийской научно-технической конференции. 2019. С. 262-265.

Оптимизация ёмкости защитных снабберных конденсаторов в силовом преобразователе электроэнергии Капитонов С.С., Беспалов Н.Н., Ильин М.В., Гуляев И.В. Электротехника. 2019. № 1. С. 19-23.

Исследование тепловых процессов в силовом диоде штыревой конструкции при внешнем нагреве / Беспалов Н.Н., Горячкин Ю.В., Панькин К.Ю., Петров И.А. // В сборнике: Информационные технологии в электротехнике и электроэнергетике. материалы XIII всероссийской научно-технической конференции. Чебоксары, 2022. С. 180-183.

Исследование стабильности рабочей точки маломощного усилителя на биполярном транзисторе / Беспалов Н.Н., Лимонов В.Ю., Лядунов К.А. // В сборнике: Актуальные вопросы современной науки и образования. сборник статей XXII Международной научно-практической конференции. Пенза, 2022. С. 39-42.

Разработка и моделирование схемы высоковольтного генератора постоянного тока для ионизатора эффлювиального типа / Беспалов Н.Н., Сайгушев В.С. // В сборнике: L Огарёвские чтения. Материалы всероссийской с международным участием научной конференции. В 3-х частях. Отв. за выпуск А.М. Давыдкин, сост. Г.В. Терехина. САРАНСК, 2022. С. 519-523.

Разработка структуры малогабаритного электронного воздухоочистителя / Беспалов Н.Н., Перков А.А., Сайгушев В.С. // Огарёв-Online. 2022. № 13 (182).

Selection of power semiconductor devices for parallel connection / Il’in M. V., Bespalov N. N., Kapitonov S. S. , Gulyaev I. V. // Russian Electrical Engineeringthis link is disabled,.2017, 88(6), РР. 336–341

Selection of the heating method of semiconductor devices during their testing in a high-conductivity state / Kapitonov S. S., Bespalov N. N., Il’in M. V., Gulyaev I. V. // Russian Electrical Engineeringthis link is disabled, 2017, 88(6), РР. 351–354

Determination of temperature parameters of IGBT, used in converter of AC electric drive / Bespalov N. N., Kapitonov S. S., Ilyin M. V. , Evishev A. V., Volkov A.G. // Proceedings of the 2017 IEEE Russia Section Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering Conference, ElConRus. 2017. РР. 784–787

About the influence of parameters values technological fluctuation on the power MOSFET thermal mode Bespalov N. N., Lysenkov A. E., Ilyin M. V., Kapitonov S. S. //2017 International Siberian Conference on Control and Communications, SIBCON 2017 - Proceedings, 2017, 7998524

Controlled lighting system based on LED light source / Bespalov N. N., Kapitonov S. S., Ilyin M. V., Zorkin A. V., Volkov A. G. / Proceedings of the 2018 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering, ElConRus. 2018. January, РР. 1706–1710

Научная библиотека поздравляетНиколая Николаевича Беспалова с днем рождения! Желаем крепкого здоровья, позитивного настроения, интересных событий в жизни и новых достижений в науке!